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利用化学气相沉积法（CVD），气-液-固（VLS）生长法则在表面溅有金属Au催化剂层的1cm×1cm的Si片上制备三元Zn2GeO4纳米线。X射线衍射仪（XRD）测试结果表明，锌源与锗源质量比为8：1时可成功制备出Zn2GeO4纳米结构；扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明，Zn2GeO4纳米线直径为100nm，长度为10～11μm；光致发光（PL）测试结果表明，Zn2GeO4纳米线在432和480nm处具有两个发光峰，最后对其生长机理进行了分析。