【摘 要】
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由于材料性质比较敏感,碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务.用湿法化学刻蚀可以成功地制备图形特征尺寸宽度在50~60μm的一代器件.对于二代和三代器件,例如高密度
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由于材料性质比较敏感,碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务.用湿法化学刻蚀可以成功地制备图形特征尺寸宽度在50~60μm的一代器件.对于二代和三代器件,例如高密度焦平面器件、雪崩光电二极管、双色探测器及多光谱探测器等,干法工艺特别是高密度等离子体刻蚀可以减小这些器件所需要的光敏元间距,显著提高填充因子.有一定深度并且较窄的沟道要求具有高纵横比,同时还要求侧边平滑、均匀性高,这些需要推动了干法刻蚀的发展.主要通过对2000年以来部分英语期刊文献的归纳分析,介绍了碲镉汞器件制备中湿法和干法处理工艺特别
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