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从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino0.6Ga0.4AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino0.6Ga0.4As MOSFET相比,Ino0.6Ga0.4As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In0.6Ga0.4As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm2/V.s-1,是In0.6Ga0.4As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.