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用新研制的五通道碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器阵列分别观测了在欧姆发热、弹丸注入及离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）条件下，ＨＬ－１Ｍ等离子体中的超热电子引起的能量在１０～１５０ｋｅＶ范围内的Ｘ射线辐射强度的时空变化，及超热电子辐射的Ｘ射线能谱。结果显示，在ＩＣＲＨ期间，等离子体边缘的Ｘ辐射增强，超热电子的温度大约为３０ｋｅＶ，ＩＣＲＨ的能量沉积在等离子体边缘。