【摘 要】
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意法半导体(ST)近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术.这项技术是以一类被称作"PZT Perovskites"的物质为基础,该类物质是一种化合
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意法半导体(ST)近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术.这项技术是以一类被称作"PZT Perovskites"的物质为基础,该类物质是一种化合物,主要元素是铅、锆、钛及氧,根据锆和钛的比例,该物质可发生多种变化.它的介电常数高达900,这个数值是二氧化硅的200倍.这项PZT新技术大幅度扩展了ST的IPAD(集成无源及有源器件技术)的功能,实现集成电容密度高于30nF/mm2,比现有的采用硅或钽的氧化物或氮化物的竞争技术提高电容密度50倍.采用该
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