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本文研究了少量ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２等对ＺｎＯ陶瓷线性电阻材料晶粒生长速度和最终晶粒尺寸的影响规律，以及极微量掺杂Ｌｉ２Ｏ对晶粒和晶界电阻率的影响规律，实验表明，ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３，和ＺｒＯ２都能使ＺｎＯ陶瓷伏安特性线性化；在一定添加量范围内，ＭｇＯ的添加量不影响陶瓷线性电阻的电阻率，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２的添加量都能有效地控制陶瓷线性电阻的电阻率；ＭｇＯ的添加量不影响ＺｎＯ陶瓷的晶粒生长速度，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２降低晶粒生长速度。从杂质缺陷的生成、扩散及其对ＺｎＯ晶粒本征缺陷的影响作用等角度，分析讨论了添加剂对晶粒生长的影响规律，认为添加剂通过改变烧结过程中ＺｎＯ晶粒自由电子浓度，进而改变填隙锌离子浓度［Ｚｎｉ］，从而控制ＺｎＯ晶粒生长速度。