基于InGaN量子点的发光二极管载流子复合动力学研究

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【摘要】

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InGaN半导体材料具有带隙宽度通过改变In组分可调的特点,被广泛应用在新一代光电子器件中,但绿光LED依然存在"绿隙(green gap)"问题有待解决。本文深入研究载流子复合机制,为

【作者】

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曹洁花田明林涛冯哲川

【机构】

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广西大学物理科学与工程技术学院,广西大学纳米能源研究中心

【出处】

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光谱学与光谱分析

【发表日期】

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2020年9期

【关键词】

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InGaN量子点光致荧光谱时间分辨光谱 InGaN quantum dotsPhotoluminescenceTime-resolved photolumi

【基金项目】

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国家自然科学基金项目(61367004),广西自然科学基金项目(2018GXNSFAA138127)资助

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InGaN半导体材料具有带隙宽度通过改变In组分可调的特点,被广泛应用在新一代光电子器件中,但绿光LED依然存在"绿隙(green gap)"问题有待解决。本文深入研究载流子复合机制,为解决"绿隙"提供新思路。利用光致荧光光谱(PL)和时间分辨光谱(TRPL)研究了不同温度下对应不同光子能量的InGaN量子点(QDs)发光二极管器件的载流子复合动力学过程,得到了InGaN QDs的瞬态光致发光特性和辐射/非辐射复合的瞬态寿命。稳态光致发光谱在15~300 K的温度范

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