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本文主要对超声喷雾热解方法生长在本征Si衬底上的N—In共掺的p型Zn0薄膜的Raman光谱进行了研究。通过洛仑兹（Lorentz）模型和等离子激元与纵光学声子耦合模理论模型拟合不同浓度下的室温Raman光谱，我们对样品的Raman峰进行了指认；同时也得到了样品的空穴浓度和迁移率，结果和霍耳测量得到的空穴浓度和迁移率符合的较好，证明了霍耳测量P型ZnO薄膜得到的电学参数是可信的。随后我们又对不同浓度的P型ZnO薄膜的变温Raman光谱进行研究，运用一个详细的模型（考虑了晶格热膨胀、残余应力、和三声子、四声