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本文利用馈源径场的等效电磁流积分，经过副面与主面电磁流的变换，建立了馈源口径场与系统远区场以反射面几何参数相联系的对应关系，直接使用曲面电流积分进行的分析，从而得到严格的远场表示式，依此可进行天线各种指标的数学分析。同时，文中还考虑了副反射面的边缘效应和遮挡影响。在有其它技术指标约束的条件下对旁瓣电平进行优化。为了验证理论的正确性，对一对角极化单脉冲馈源进行优化设计完成模拟实验，文章最后给出了分析