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在Si／SiO2／Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶，利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷，在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性．实验结果表明，硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上，同时可以在几秒内快速放电．电荷储存于纳米颗粒内部和表面，不会向外扩散．
硅纳米晶的制备和电荷储存特性
【摘 要】
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在Si／SiO2／Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶，利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷，在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性．实验结果表明，硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10
【机 构】
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上海大学射线应用研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年5期
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