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A review of β-Ga2O3 single crystal defects, their effects on device performance and their formation

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ycyujing

【摘 要】

：

As a wide-bandgap semiconductor(WBG), β-Ga2O3 is expected to be applied to power electronics and solar blind UV photodetectors. In this review, defects in β-G

【作 者】

：

Bo Fu Zhitai Jia Wenxiang Mu Y 

【机 构】

：

StateKeyLaboratoryofCrystalMaterials&,KeyLaboratoryofFunctionalCrystalMaterialsandDevice

【出 处】

：

半导体学报:英文版

【发表日期】

：

2019年1期

【关键词】

：

β-Ga2O3 CRYSTAL DEFECTS device performance FORMATION mechanism 

【基金项目】

：

the Financial support from the National key Research and Development Program of China(Nso.2018YFB0406502,2016YFB1102201),the National Natural Science Foundation of China(Grant No.51321091),the key Res

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As a wide-bandgap semiconductor(WBG), β-Ga2O3 is expected to be applied to power electronics and solar blind UV photodetectors. In this review, defects in β-Ga2O3 single crystals were summarized, including dislocations, voids, twin, and small defects. The

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