SiC MOSFET工作频率高，温度稳定性好，应用于三电平Buck变换器中可以减小系统损耗，提高系统效率，但SiC MOSFET的高频特性会使其开关过程中的电压尖峰更为严重。针对该问题，分析了三电平Buck电路SiC MOSFET开关过程及瞬态电压尖峰产生机理；在传统的充放电型RCD吸收电路的基础上加以优化改进，设计了一种低损耗型RCD吸收电路作为电压尖峰抑制方法。首先，对充放电型RCD吸收电路和改进后的低损耗型RCD吸收电路的工作原理及损耗进行对比分析；其次，搭建了三电平Buck变换器实物实验装置，对吸收电容和电阻进行参数设计；最后，通过实验验证了低损耗型RCD吸收电路的有效性、参数设计的合理性；结合理论分析和实验结果表明，相比于带充放电型RCD吸收电路，带低损耗型RCD吸收电路的三电平Buck变换器具有更低的损耗。