【摘 要】
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在氢化物气相外延（HVPE）生长Ga N厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量。本文针对自制的大尺寸垂直式HVPE反应器,通过数值模拟与实验对比,研究
【机 构】
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江苏大学能源与动力工程学院,东莞中镓半导体科技有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金（61474058）,江苏省普通高校研究生科研创新计划项目（CXLX11-057）,国家高技术研究发展计划（2014AA032605）,国家自然科学基金重大仪器装备专项（61327801）,“广东特支计划”科技青年拔尖人才项目（510264251033）
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在氢化物气相外延（HVPE）生长Ga N厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量。本文针对自制的大尺寸垂直式HVPE反应器,通过数值模拟与实验对比,研究了反应腔壁面沉积以及Ga N生长速率的分布规律,特别是寄生沉积分布与载气流量的关系。研究发现：在基准条件下,顶壁寄生沉积速率由中心向边缘逐渐降低,与实验结果吻合;侧壁沉积出现8个高寄生沉积区域,对应喷头边缘处排布的Ga Cl管,说明沉积主要取决于Ga Cl的浓度输运;模拟得出的石墨托表面生长速率低于实验速率,但趋势一致。保持其他
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