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以GP模型理论和工艺数据为基础，提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法．以典型的带隙基准电路为例，经Hspice仿真分析表明，在-55～125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改善．
用模型参数优化法改进带隙基准的温度
【摘 要】
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以GP模型理论和工艺数据为基础，提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法．以典型的带隙基准电路为例，经Hspice仿真分析表明，在-55～125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改
【机 构】
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西安微电子技术研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2008年4期
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