【摘 要】
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在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术．通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层，提高了SiGe层的弛豫度．当Ge主分为20％时，利用低温Si技术生长的弛豫Si1-xGex层
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,模拟集成电路国家重点实验室
【基金项目】
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模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (合同号 :2 0 0 0 JS0 9.3 .1.DZ0 2 )~~
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在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术．通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层，提高了SiGe层的弛豫度．当Ge主分为20％时，利用低温Si技术生长的弛豫Si1-xGex层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至400nm以内，AFM测试表明其表面均方粗糙度(RMS)d、于1．02nm．器件测试表明，与相同制备过程的体硅pMOSFET相比，空穴迁移率最大提高了25％．
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