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采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a—Si／a—SiNx超晶格材料。利用红外光谱（IR）、能谱（EDS）、X射线衍射谱（XRD）、吸收谱和光致发光（PL）谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究。结果表明，样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移，观察到了明显的量子限制效应。在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理，发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移，这归因于样品中nc—Si颗粒的形成。