【摘 要】
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本文对硅外延常用的卧式矩形反应器中的流速分布进行了分析,用流体力学方程的精确解代替管内流速为抛物线分布的近似解,作出了硅外延生长速率纵向和横向分布的估算,计算值与
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本文对硅外延常用的卧式矩形反应器中的流速分布进行了分析,用流体力学方程的精确解代替管内流速为抛物线分布的近似解,作出了硅外延生长速率纵向和横向分布的估算,计算值与实测结果吻合较好。
In this paper, the flow velocity distribution in horizontal rectangular reactors commonly used for epitaxial silicon is analyzed. By using the exact solution of hydrodynamic equations instead of the approximate solution of the parabolic flow velocity in the tube, the longitudinal and transverse distribution of silicon epitaxial growth rate are estimated and calculated The values agree well with the measured results.
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