【摘 要】
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为了预测电子系统的重要器件——功率MOSFET剩余使用寿命,基于NASA实验数据,提出了一种MOSFET剩余寿命预测方法。首先利用相关向量机对劣化数据进行回归拟合,得到相关向量,并
【机 构】
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首都师范大学信息工程学院,首都师范大学高可靠嵌入式系统技术北京市工程研究中心,首都师范大学电子系统可靠性技术北京市重点实验室
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为了预测电子系统的重要器件——功率MOSFET剩余使用寿命,基于NASA实验数据,提出了一种MOSFET剩余寿命预测方法。首先利用相关向量机对劣化数据进行回归拟合,得到相关向量,并使用相关向量与回归拟合结果结合获取代表性向量。然后,基于退化模型,利用最小二乘法实现参数辨识确定劣化模型的参数。最后,将劣化模型外推到失效阈值,得到功率器件可能失效的时间,从而获得MOSFET的剩余使用寿命。实验结果表明,该方法简单有效。
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