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用0．28、0．62和2．80MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP／GaAs／Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^12cm^-2。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明：随质子辐照能量的增加，太阳电池性能参数Isc，Voc，Pmax和光谱响应的衰降幅度均减小，0．28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著；低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。