高亮度发光二极管

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日本最近研制成功一种高亮度发光二极管样品.据称:它的发光亮度为目前常用发光二极管的5~10倍.计划在近期投产.这种发光二极管主要是大大提高了半导体材料的晶体纯度.该管含有镓、铝、砷,它们合在一起时能发出红色光,在电压为1.75伏、电流 Japan recently developed a high-brightness light-emitting diode samples.It is said: its brightness of light emitting diodes now commonly used 5 to 10 times, is scheduled to put into operation in the near future.This light-emitting diode is mainly to greatly improve the crystal purity of semiconductor materials. The tube contains gallium, aluminum, arsenic, which together emit red light at a voltage of 1.75 volts, current
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