ES势垒随台阶高度变化对薄膜生长的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ted_yu

【摘要】

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建立一个模拟薄膜三维生长的蒙特卡罗模型，模型中Ehrlich—Schwoebel（ES）势垒随台阶高度不同而变化。模拟结果表明：考虑ES势垒时，随着基底温度升高和沉积速率的降低，薄膜的粗糙度越

【作者】

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【机构】

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华南师范大学物理与电信工程学院

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2013年5期

【关键词】

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建立一个模拟薄膜三维生长的蒙特卡罗模型，模型中Ehrlich—Schwoebel（ES）势垒随台阶高度不同而变化。模拟结果表明：考虑ES势垒时，随着基底温度升高和沉积速率的降低，薄膜的粗糙度越来越低，成膜质量越好；一层ES势垒和层间势垒差对薄膜生长机制和成膜质量都有影响。

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