白光LED用YAG：Ce^3＋荧光粉的温度猝灭性质

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：China_BILLGATES

【摘要】

：

荧光粉的温度猝灭性质是影响白光LED的光效、光色参数和可靠性的关键因素之一。研究了不同激活剂浓度，不同元素掺杂的Y3-xCexAl5O12（YAG：Ce^3＋）荧光粉在460nm光激发下的变温亮度和

【作者】

：

李慧娟邵起越董岩蒋建清梁超何锦华

【机构】

：

东南大学材料科学与工程学院江苏省先进金属材料高技术重点实验室,江苏苏博特新材料股份有限公司

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

白光LED YAG:Ce^3+荧光粉温度猝灭 white LED YAG： Ce^3＋ phosphors thermal quenching

【基金项目】

：

基金项目：教育部重大项目培育基金资助项目（707029）

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

荧光粉的温度猝灭性质是影响白光LED的光效、光色参数和可靠性的关键因素之一。研究了不同激活剂浓度，不同元素掺杂的Y3-xCexAl5O12（YAG：Ce^3＋）荧光粉在460nm光激发下的变温亮度和发射光谱。结果表明温度显著影响YAG：Ce^3＋荧光粉的发光性能，随着温度的升高，发光强度下降，同时发射光谱红移。Ce含量为0．07（原子数分数）的YAG：Ce^3＋荧光粉，150℃下亮度值约为室温时的89％，200℃时的发射光谱相对室温的红移了约10nm。Ce含量的改变对YAG：Ce^3＋荧光粉的热猝灭性质影

其他文献

CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌

利用具有特定温度梯度的CVD设备，以锌粉和氧气为原料，在Si（100）衬底上制备了ZnO薄膜。研究发现，锌粉中加入某些氯化物后可以改变ZnO薄膜的生长取向。用FESEM观察ZnO薄膜的表面形貌

期刊

CVDZNO薄膜生长取向生长机理CVD ZnO films growth direction growth mechanics

CdxZn1-xO：Eu^3＋荧光粉的制备及其发光性质

采用高温固相法在1 100℃下合成了Eu^3＋掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd^2＋的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。

期刊

CdxZn1-xO:Eu^3+稀土白光LED荧光粉CdxZn1-xO： Eu^3＋ rare earth white-light LED pho

稀磁半导体材料居里温度的极值点

以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM（Ga,TM）As（TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,F

期刊

稀磁半导体居里温度掺杂浓度反铁磁性交换作用diluted magnetic semiconductor Curie temperature dope

Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能

研究了用单束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能。XRD表征结果表明制备的薄膜是具有沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构。然而，进一步的高分辨电子显微镜结果显

期刊

Co掺杂ZnO稀磁半导体脉冲激光沉积法磁性Co-doped ZnO diluted magnetic semiconductors pulsed l

机械球磨对γ-Al2O3纳米颗粒的光致发光的影响

研究了机械球磨对γ-Al2O3纳米粉末的光致发光行为的影响。γ-Al2O3两个发射峰位于343,378nm,同时我们观察到一个分布在400～600nm宽带发射。我们发现两个发射峰强度随着球磨时

期刊

机械球磨光致发光氧化铝mechanical alloying photoluminescence alumina

NMLP2008通知附件第二届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议中国·珠海 2008年11月16—21日

期刊

基于PVK：NPB掺杂体系的有机电致发光器件的性能

利用溶液旋涂的方法，通过改变复合功能层中poly（N-vinylcarbazole）（PVK）和N，N＇-bis-（1-naphthyl）-N，N＇-diphenyl-（1，1’-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）的质量比，制备结构为indium-tin—oxide（ITO）／PV

期刊

有机电致发光器件(OLEDs)PVK:NPB掺杂体系电致激基复合物organic light-emitting devices （OLEDs） PVK

稀土掺杂碱土金属硫化物晶体中的载流子俘获中心

研究了典型红外激励发光材料XS：Ra，Sm（x=Sr，Ca；Ra=Ce，Eu）的激励发光过程中电子与空穴的俘获中心及其转移过程，通过激发前后的红外吸收光谱的差异及吸收差与光激励谱的细微结构说明，电

期刊

载流子俘获电子陷阱空穴陷阱光激励发光电子顺磁共振carrier capturing electron trap hole trap pho

抛物量子线中极化子的激发态性质

研究抛物型量子线中极化子激发态的性质。采用线性组合算符法和Pekar变分法，导出了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的基态能量、第一内部激发能量、激发能和振动

期刊

量子线极化子基态能量第一内部激发能量激发能quantum wire polaron ground state energy the firs

线状晶体的生长和单轴应力光谱的研究

1 线状晶体生长自威斯康星大学转到乔治亚大学之后，严懋勋教授最得意的工作之一是建立了线状晶体（Single Crystal Fibers）生长实验室。为了生长发光材料单晶，多晶制备系统也因此

期刊

晶体生长单轴应力线状威斯康星大学CRYSTAL光谱制备系统发光材料

白光LED用YAG：Ce^3＋荧光粉的温度猝灭性质

与本文相关的学术论文