【摘 要】
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日本新能源.产业技术综合开发机构(NEDO技术开发机构)在2002~2007年实施了以氮化镓(GaN)半导体无线通信器件(第四代高速通信100Mbps~1Gbps)应用为目的“氮化物半导体低功耗高
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日本新能源.产业技术综合开发机构(NEDO技术开发机构)在2002~2007年实施了以氮化镓(GaN)半导体无线通信器件(第四代高速通信100Mbps~1Gbps)应用为目的“氮化物半导体低功耗高频器件开发”计划。该计划目标是开发GaN圆片晶体生长技术和GaN圆片评价、分析技术;在此基础上研发大功
Nippon Energy Co., Ltd. The Industrial Technology Development Organization (NEDO Technology Development Organization), which implemented the application of GaN semiconductor wireless communication devices (100Mbps ~ 1Gbps for fourth generation high-speed communications) from 2002 to 2007, “Nitride Semiconductor Low-power high-frequency device development ”program. The goal of this project is to develop GaN wafer growth technology and GaN wafer evaluation and analysis technology. On the basis of this,
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