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含NiTi阻挡层的硅基（La0.5Sr0.5）CoO3/Pb（Zr0.4Ti0.6）O3/（La0.5Sr0.5）CoO3铁电电容器异质结

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pengk33

【摘 要】

：

应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si（100）衬底上构造了（La0.5Sr0.5）CoO3/Pb（Zr0.4Ti0.6）O3/（La0.5Sr0.5）CoO3（LSCO/PZT/LSCO）铁电电容器异质结,研究了Pb（Zr0.4Ti0.6）O3铁电薄

【作 者】

：

刘保亭 闫小兵 程春生 李锋 马良 赵庆勋 闫正 

【机 构】

：

河北大学物理科学与技术学院

【出 处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

铁电存储器 NITI 阻挡层 Pb(ZrxTi1-x)O3 ferroelectric random access memory （FeRAM） NiTi 

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应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si（100）衬底上构造了（La0.5Sr0.5）CoO3/Pb（Zr0.4Ti0.6）O3/（La0.5Sr0.5）CoO3（LSCO/PZT/LSCO）铁电电容器异质结,研究了Pb（Zr0.4Ti0.6）O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁电电容器具有良好的电学性能,在417kV/cm的驱动场强下,PZT铁电电容器具有较低的矫顽场强（125kV/cm）和较高的剩余极化强度（19.0μC/cm^2）,良好电容-电压特性（C-V

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