【摘 要】
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目前关于SiC单晶室温的导热性能,以及导热特性随温度的变化方面的研究报道还存在较大的差异,有关SiC单晶热导率的研究主要是沿c轴<0001>晶向或者垂直于c轴的某一晶向进行的,
【机 构】
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上海理工大学材料科学与工程学院,中国科学院上海硅酸盐研究所
【基金项目】
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国家重点研发计划(2016YFB0400401),国家自然科学基金(20183356),上海市科技创新重点项目(Y74ZC5152G),上海市科技创新行动计划(20511107404,19DZ1100703)。
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目前关于SiC单晶室温的导热性能,以及导热特性随温度的变化方面的研究报道还存在较大的差异,有关SiC单晶热导率的研究主要是沿c轴<0001>晶向或者垂直于c轴的某一晶向进行的,无法有效地解释热导率的各向异性。本文研究了4H-SiC和6H-SiC单晶<1100>,<1120>,<0001>三个不同晶向上热导率以及其随温度的变化。对SiC单晶切割分别得到沿<1100>,<1120>,<0001>晶向的样品,尺寸为∅12.7 m
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