【摘 要】
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SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关
【机 构】
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西安理工大学应用物理系,西安理工大学电子工程系,新加坡微电子研究所
【基金项目】
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National Natural Science Foundation of China （No. 50477012） ,Special Scientific Research Program of Shaanxi Provincial Education Bureau （ No. 05JK268）.
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SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管。与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性。30%Ge含量的SiGe二极管反向恢复时间比同结构的Si二极管缩了短四分之三,软度因子接近于1。这些性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率集成电路中。
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