硅基集成电路的发展及其面临的挑战

来源 :合肥工业大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：mingxue27

【摘要】

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文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,.这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作

【作者】

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方志鸣

【机构】

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黄山学院物理系安徽黄山　245021

【出处】

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合肥工业大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2004年11期

【关键词】

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Cu/低ε互连系统高ε栅极材料绝缘层上的硅(SOI) ultra large scale integrated-circuit(ULSI) system

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文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,.这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作的内在结构及电接触问题、高ε栅极氧化物材料、SOI、SiGe、SiGe-OI以及大直径硅单晶片等.微电子技术的发展已逼近微电子器件的物理极限,并将逐步发展到它的下一代--纳米电子器件,人类对物质世界的认识也将提高到一个新阶段.

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