Simulation and Design of a High Responsibility PIN Photodetector

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：drrrrr123

【摘要】

：

A silicon-based PIN photodetector structure with the characteristics of high responsibility and high cut-off frequency fabricated with the PERL(the passivated e

【作者】

：

GENG Boyun LI Xiaoyun NIU Ping

【机构】

：

SchoolofInformationandCommunicationEngineering

【出处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

2010年2期

【基金项目】

：

Foundation item： Youth Science Foundation Project（60706015）

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A silicon-based PIN photodetector structure with the characteristics of high responsibility and high cut-off frequency fabricated with the PERL(the passivated emitter and the rear locally-diffused)technologies is introduced in this paper.After making some

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