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对绝缘体上硅工艺来说，静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压，通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理，通过建立集约模型并由HSPICE仿真，揭示了体电阻与维持电压之间的关系。
H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究
【摘 要】
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对绝缘体上硅工艺来说，静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压，通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器
【机 构】
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硅器件及集成技术研究室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2013年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60927006）
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