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用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ薄膜，测量了样品的阴极射线发射特性及其与薄膜晶体结构的关系，在所有测量样品中均观察到较强的绿带发射，随着单晶程度的提高，光谱中开始出现蓝带，并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带；它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加，根据ＺｎＯ中激子的结合能数据，推测紫带发射来源于ＺｎＯ的激子跃迁，实验结果说明，通过改进薄膜的结日