【摘 要】
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采用衬底加热溅射铜锌锡硫（CZTS）四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明：在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的C
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采用衬底加热溅射铜锌锡硫（CZTS）四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明：在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压（V_（OC））为575 mV,短路电流密度（J_（SC））为8.32 mA/cm~2,光电转换效率达到1.82%.
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