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通过分析束流频谱与高频腔高次模的相互作用，提出了计算单束流和双束流储存环听 非均匀束团产生的高频腔高镒模功率的方法，推导出了这两种情况下的一般通用公式，并对所得到的解析结果进行了比较和讨论。
非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率
【摘 要】
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通过分析束流频谱与高频腔高次模的相互作用，提出了计算单束流和双束流储存环听 非均匀束团产生的高频腔高镒模功率的方法，推导出了这两种情况下的一般通用公式，并对所得到的解
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所
【出 处】
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高能物理与核物理
【发表日期】
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1999年9期
【基金项目】
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中国科学院“九五”基础性研究项目
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