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调整二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比，通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅杂化聚酰亚胺（PI）薄膜。用FT—IR，SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌，对电气强度，耐电晕性进行了实验研究。结果表明，随着纳米有机硅网络结构的变化，掺杂薄膜的电气强度先保持平稳后下降，大约在二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1：3时出现极大值，二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1：1时杂化薄膜的平均耐电晕寿命为纯聚酰亚胺薄膜平均耐电晕时间的8．57倍。