GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合

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采用栅压比谱技术,在相对较低的磁场下,观察到GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气第零子能带的N=1Landau能级与高达第五子能带的N=0Landau能级的共振耦合现象,由此精确测量了各子能带能量间距,并与自洽的理论计算结果相比较.同时,讨论了共振子能带Landau能级耦合所引起的Landau能级分裂大小与子能带量子数的关系. In the relatively low magnetic field, the N = 1 Landau level of the zeroth electron band in the GaAs / AlGaAs heterojunction and the N = 1 Landau level up to the fifth subband Level resonance coupling phenomenon, which accurately measured the energy band spacing of each sub-band, and compared with the self-consistent theoretical results. At the same time, the relationship between the size of Landau level splitting and the quantum number of sub-band caused by the coupling of the resonance energy band-Landau level is discussed.
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