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采用磁控溅射及快速热氧化法在c-Al2O3基底制备出高质量的氧化钒薄膜。首先，分析结果表明所制备的氧化钒薄膜表面颗粒大小均匀，表面均方根粗糙度约为16.75 nm， 主要成分为VO2和V2O5，V4 离子的含量为78.59%,所制备的氧化钒薄膜具有稳定的热致相变特性; 其次，光诱导下薄膜的THz波调制特性研究结果显示，随着激励光功率增大， 薄膜的THz透过率逐渐减小; 最后，经过多次原位反复测试结果表明所制备的氧化钒薄膜具有稳定可逆的THz波调制特性, 可应用于太赫兹开关和调制器等集成式太赫兹功能器件。