【摘 要】
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本文介绍用晶体管、场效应管(结型和 MOS 型)制作工作频率为30MHz 的 RF-SQUID 前置放大器线路;测量在室温和低温下,四种放大器的噪声数据;分析低温条件对改进放大器的作用;
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本文介绍用晶体管、场效应管(结型和 MOS 型)制作工作频率为30MHz 的 RF-SQUID 前置放大器线路;测量在室温和低温下,四种放大器的噪声数据;分析低温条件对改进放大器的作用;制得在低温下工作的,噪声温度为30K 的高频前置放大器。
This article describes the use of transistors, FET (junction and MOS type) for the production of the operating frequency of 30MHz RF-SQUID preamplifier line; measured at room temperature and low temperature, four amplifier noise data; analysis of low temperature conditions to improve the amplifier Role; obtained at low temperature work, the noise temperature of 30K high-frequency preamplifier.
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