【摘 要】
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已研究出一种新的液相外延生长法,它通过减压条件下使杂质从生长液中汽化而达到控制杂质浓度之目的。利用这种方法已制成峰值波长为555毫微米的高效GaP纯绿发光二极管。用环
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已研究出一种新的液相外延生长法,它通过减压条件下使杂质从生长液中汽化而达到控制杂质浓度之目的。利用这种方法已制成峰值波长为555毫微米的高效GaP纯绿发光二极管。用环氧树脂密封的二极管平均效率为0.1%,在16安/厘米~2时的最高效率为0.14%。
A new method of liquid phase epitaxial growth has been developed which achieves the purpose of controlling the impurity concentration by vaporizing impurities from the growth liquid under reduced pressure. Using this method, a GaP green light-emitting diode with a peak wavelength of 555 nm has been fabricated. The average efficiency of the diodes sealed with epoxy resin is 0.1%, and the highest efficiency is 0.14% at 16 A / cm ~ 2.
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