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为了定量地得到磁场梯度对a-Si：H薄膜沉积速率的影响，对单磁场线圈分散场MwECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究．通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度．结果表明，样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137．7A时其衬底附近磁场梯度值最大，样品台下面无钐钴永磁时，磁场线圈电流分别为137．7A和115．2A的磁场梯度值依次为次之和最小．制备a-Si：H薄膜时，在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率．通过红外吸收谱技术分析，虽然样品台下面放