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本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达担5mm×30mm的LaBr3：Ce单晶，晶体透明，无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题，指出了原料处理的关键，并指出了自发成核条件下晶体最有可能的生长取向为[001]方向，该方向对抑制晶体开裂非常有利。
自发成核Bridgman法生长LaBr3：Ce晶体
【摘 要】
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本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达担5mm×30mm的LaBr3：Ce单晶，晶体透明，无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题，指出了原料处理的关键，并指出了自发成核条件下
【机 构】
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中国计量学院,中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2010年B06期
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.50702054,No.20803070,No.6080801）
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