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<正> 南京电子器件研究所于1988年研制成功砷化镓单片集成C波段单级低噪声FET放大器。采用全集总电路结构,包含全部匹配电路,芯片尺寸0.63×0.84×0.2mm。在3.7～4.2GHz频率下测试,带内增益大于10dB,噪声系数小于2.5dB。单级放大器可直接级联而不需附加
GaAs单片集成C波段低噪声FET放大器
【摘 要】
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<正> 南京电子器件研究所于1988年研制成功砷化镓单片集成C波段单级低噪声FET放大器。采用全集总电路结构,包含全部匹配电路,芯片尺寸0.63×0.84×0.2mm。在3.7～4.2GH
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1989年1期
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