论文部分内容阅读
一种特定发光波长（415—425nm）的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察，包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率、Shockley-Read-Hall（SRH）辐射复合速率以及输出功率和内量子发光效率的分析。与传统的InGaN构型量子阱结构相比，使用台阶型InGaN构型的量子阱结构，活性区载流子浓度特别是空穴浓度得到明显的改善，输出功率和内量子效率分别提高了52．5％和52．6％。自发发光强度与传统的InGaN构型量子阱发光强度相比也有1．54倍的增强。分析结果暗示SRH非辐射复