【摘 要】
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关于阴极发射不足引发微波管高压击穿的机理一直缺乏相应的阐述。本文以一只高功率速调管为对象,记录了该管产生高压击穿时的阴极工作条件;计算了击穿点处阴极表面的静电场强
【机 构】
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中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室,广东中能加速器科技有限公司
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关于阴极发射不足引发微波管高压击穿的机理一直缺乏相应的阐述。本文以一只高功率速调管为对象,记录了该管产生高压击穿时的阴极工作条件;计算了击穿点处阴极表面的静电场强度;找出了阴极边缘产生发射不足的原因;分析了发射不足对阴极发射点处电场分布的影响;论述了阴极边缘发射不足引发高压击穿的机理。研究表明,阴极边缘发射不足引起的发射点场增强效应、以及阴极边缘毛刺引起的场增强效应,共同作用使得微波管产生了高压击穿现象。
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