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三星电子宣布，开发出第一个使用30nm级处理技术的64Gb多级单元（MLC）NAND闪存芯片。由于计算和数字应用中闪存成为主要存储媒介，因此，对闪存的需求快速增长，而这一闪存芯片的出现，实现向更高密度解决方案的飞跃。
30nm级64Gb NAND Flash
【摘 要】
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三星电子宣布，开发出第一个使用30nm级处理技术的64Gb多级单元（MLC）NAND闪存芯片。由于计算和数字应用中闪存成为主要存储媒介，因此，对闪存的需求快速增长，而这一闪存芯片的出现，实
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2007年12期
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