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<正>4高温工作由于SiC功率器件具有更高的击穿电压、工作温度和热导率以及更低的开关和导通损耗等优点,可以突破Si IGBT的最高结温175℃的限制,可满足电子产品在高温下可靠工作的要求,适用于汽车、工业、空间及航空电子设备、内燃机、智能推进系统和地热勘探等领域。近几年为了实现SiC功率器件在电力电子系统中的高温应用,在器件的自热效应、高温封装、高温焊料、模块系统设计和高温栅极驱动电路等方面进行了应用创新研究,如