【摘 要】
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在MIp-AlxGa1-xAs结构的I层表面上,引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,将p-Al1-xGaxAs层中的空穴感应至界面,可建立界面电子感应势垒,并将其构成MIp-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAs太
【机 构】
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四川大学物理系,四川大学物理系,云南师范大学太阳能研究所
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在MIp-AlxGa1-xAs结构的I层表面上,引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,将p-Al1-xGaxAs层中的空穴感应至界面,可建立界面电子感应势垒,并将其构成MIp-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAs太阳电池.通过求解泊松方程,理论上分析了界面感应势的高度、宽度与p-AlxGa1-xAs层掺杂浓度及减反射膜中固定负电荷面密度的关系,以及该感应势的建立对电池界面复合速度的影响.结果表明,p-AlxGa1-xAs层掺杂浓度的降低以及固定负电荷面密度的增高,都将导致界面感应势的高度与宽度的增加,
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