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本文报道了GaAs/GaAIAs多量子阱（MQW）双区共腔（CCTS）结构的双稳态激光器。该器件利用多次离子注入形成电镉离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏压电压时得到了双稳特性，观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制。
GaAs/GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究
【摘 要】
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本文报道了GaAs/GaAIAs多量子阱（MQW）双区共腔（CCTS）结构的双稳态激光器。该器件利用多次离子注入形成电镉离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏压电压时得到了双稳特性，观察到
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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