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研究了氯掺合对非晶硅薄膜晶体管性能的影响，在光照明下，ａ－Ｓｉ：Ｈ（：Ｃｌ）ＴＦＴ的断态漏电流比小得多的缘故导致更低的光电导。呈现出的场效应迁移率为４１ｃｍ＾２／Ｖｓ，阈值电压为５．５６Ｖ，但是在光照明下，断态漏电流比常规Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的要小两个数量级。
氯掺合对非晶硅TFT的影响
【摘 要】
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研究了氯掺合对非晶硅薄膜晶体管性能的影响，在光照明下，ａ－Ｓｉ：Ｈ（：Ｃｌ）ＴＦＴ的断态漏电流比小得多的缘故导致更低的光电导。呈现出的场效应迁移率为４１ｃｍ＾２／Ｖｓ，阈值电压为５．５６Ｖ，但是在光照明下，断态漏电流比常规Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的
【机 构】
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韩国汉城Kyung,Hee大学物理系
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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1997年2期
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