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文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管（LEDs）中，由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤，为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响，加速寿命实验结果表明：电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善。
电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响
【摘 要】
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文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管（LEDs）中，由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤，为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2006年6期
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