【摘 要】
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为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件，通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系，最
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为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件，通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系，最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100V体硅N-LDMOS最佳结构、工艺参数。折衷考虑到了击穿电压、开态电阻这一对矛盾体以满足设计指标。通过模拟曲线可知该高压器件的关态和开态的击穿电压都达到要求，开启电压为1．5V，而且完全兼容国内体硅标准低压CMOS工艺，可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。
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