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本文通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究腐蚀电流密度与腐蚀时间两个制备因素对制备的多孔硅的微观结构的影响。本文在p+<100>硅片上通过30mA/cm2的腐蚀电流的条件完成腐蚀时间为10min、20min、30min、40min、50min的多孔硅的制备;在p+<100>和p<100>两种硅片上,腐蚀时间40min的条件下完成腐蚀电流密度为20mA/cm2、40mA/cm2、60mA/cm2、80mA/cm2的多孔硅制备。对所制备的多孔硅进行扫描电镜观察,观察其微观